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说明三极管的检测方法

发布日期:2021-12-11 作者:澳门新萄京8455 点击:0

又称晶体管、双极晶体管、晶体管、半导体的基本元件之一,其中电流放大是电子电路的核心元件。接下来,乐晨将解释晶体管的检测方法。

  1、中低功率三极管的检测

  A、具有已知模型和引脚的晶体管可用于根据以下方法来判断它们的性能。

  (a)、测量极点电阻。将万用表放在R* 100R*1K块中,并根据六种不同的红笔和黑笔进行测试。其中,发射极结和集电极结的正向电阻相对较低,其他四种方法具有高电阻值,从几百欧元到无穷大。然而,无论是低电阻还是高电阻,硅三极管的电极间电阻都远大于锗三极管。

  (b)、晶体管穿透电流ICEO的值近似等于晶体管的乘法器β和集电极结的反向电流ICBO的乘积。随着环境温度的升高,ICBO迅速增加。ICBO的增加必然导致ICEO的增加。ICEO的增加将直接影响管道的稳定性,因此应尽量选用小型ICEO管。

  用万用表电阻直接测量三极E-C电极之间的电阻,可以间接地估计ICEO的尺寸。具体方法如下:

  万用表电阻的范围一般越大,所需的电阻越大越好。Ec之间的电阻越大,管的ICEO越小;否则,测量的电阻越小,被测试管的ICEO越大。一般来说,中、低功率硅管和锗低频管的电阻值应分别大于几百欧元、几万欧元和数万欧元。如果电阻值很小或万用表指针在测试期间来回摆动,则表明ICEO非常大,并且管的性能不稳定。

  (c)、测量放大倍数(β)。目前,一些类型的万用表具有测量晶体管hFE的校准线和测试插座,可以方便地测量晶体管的放大率。首先,将万用表功能开关移到齿轮上,将范围开关移到ADJ位置,红色和黑色仪表笔短接,并且调整调零旋钮以使万用表的指针指示零,然后将范围开关移到hFE po。定位时,两支短表笔分开,待测三极管插入测试插座,管子可以从hFE校准线读出。放大倍数。

  B、检测判别电极

(a)、确定基地。当第一笔连接到电极时,用三极管R 100R 65测量晶体三极管的每一个电极之间的前后电阻值,第二笔依次接触其他两个电极,以测量低电阻,第一支笔与底座B的电极连接。此时,注意万用笔的极性,如果红笔与基座B相连。如果黑笔与基座B相连,红笔与其他两极相连,则测得的电阻是SM。所有,那么三极管是NPN

(b)、确定了捕收剂C和发射极E(PNP为例)当万用表放在R*100R*1k齿轮上时,红笔的底部是b,其他两个针用黑笔接触,测量的两个电阻值将越来越小。在一个低电阻的测量中,黑表笔的管脚是收集器;在一个高电阻的测量中,黑表笔的管脚是发射器。

  C、高频管与低频管的区别

  高频晶体管的截止频率大于3MHz,而低频晶体管的截止频率小于3MHz。一般来说,这两个是不可互换的。

  D、道路电压检测与判断方法

  在实际应用中,低功率晶体管大多直接焊接到印刷电路板上。由于元件安装密度高,拆卸难度大,因此常用万用表直流电压屏障来测量被测晶体管引脚的电压值,判断晶体管是否工作正常,进而判断其是否良好。或者是坏的。

  2、大功率晶体三极管的检测

用万用表检测中小功率晶体管的极性、管形和性能的各种方法基本适用于大功率晶体管的检测。然而,由于大功率三极管的工作电流较大,大功率三极管的pn结面积较大。PN结越大,反向饱和电流也越大。因此,如果用万用表的R*1k块来测量中小功率晶体管电极之间的电阻,电阻值必须非常小,就像电极之间的短路一样,所以我们通常用R*10R*1块来测量大功率晶体管。伊斯特

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